SI4909DY
Symbol Micros:
TSI4909dy
Gehäuse: SOP08
Transzystor P-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 27mOhm |
Max. Drainstrom: | 8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,2W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | VBsemi |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 27mOhm |
Max. Drainstrom: | 8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,2W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | VBsemi |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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