SI4925DDY

Symbol Micros: TSI4925ddy
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Gehäuse: SOP08
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2xP-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 41mOhm; 8A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4925DDY-T1-E3; SI4925DDY-T1-GE3; SI4925DDY-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4925DDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
1300 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3588
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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