SI4948BEY-T1-E3 Vishay
Symbol Micros:
TSI4948bey
Gehäuse: SOIC08
Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,4A; 1,4W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
Gehäuse: | SOIC08 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-E3 RoHS
Gehäuse: SOIC08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
210 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8859 | 0,5595 | 0,4430 | 0,3987 | 0,3847 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-E3
Gehäuse: SOIC08
Externes Lager:
43000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3847 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-GE3
Gehäuse: SOIC08
Externes Lager:
265000 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3847 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-E3
Gehäuse: SOIC08
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3847 |
Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
Gehäuse: | SOIC08 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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