SI4948BEY-T1-E3 Vishay

Symbol Micros: TSI4948bey
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,4A; 1,4W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt
Auf Lager:
210 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8859 0,5595 0,4430 0,3987 0,3847
Standard-Verpackung:
250
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-E3 Gehäuse: SOIC08  
Externes Lager:
43000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3847
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-GE3 Gehäuse: SOIC08  
Externes Lager:
265000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3847
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-E3 Gehäuse: SOIC08  
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3847
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD