SI5618A-TP

Symbol Micros: TSI5618A-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 240 mOhm; 1,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: SI5618A-TP RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3195 0,1702 0,1318 0,1218 0,1166
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: SI5618A-TP Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
51000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1166
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD