SI5618A-TP
Symbol Micros:
TSI5618A-TP
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 240 mOhm; 1,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 240mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,2W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | MCC |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer: SI5618A-TP RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3195 | 0,1702 | 0,1318 | 0,1218 | 0,1166 |
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer: SI5618A-TP
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
51000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1166 |
Widerstand im offenen Kanal: | 240mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,2W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | MCC |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole