SI6968BEDQ

Symbol Micros: TSI6968bedq
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSSOP08 t/r
2xN-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 5,2A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: TSSOP08 t/r
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI6968BEDQ RoHS Gehäuse: TSSOP08 t/r  
Auf Lager:
64 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8306 0,5218 0,4333 0,3854 0,3614
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI6968BEDQ-T1-E3 Gehäuse: TSSOP08 t/r  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4290
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: TSSOP08 t/r
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD