SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY

Name: TSI7113adn TSI7113adn
Brand: Siliconix
SKU: TSI7113adn
Price: 0.8370 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI7113adn

Gehäuse: PPAK-SO8

P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 186 mOhm; 10,8A; 27,8 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	186mOhm
Max. Drainstrom:	10,8A
Maximaler Leistungsverlust:	27,8W
Gehäuse:	PPAK-SO8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7113ADN-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SO8

Auf Lager:

3 stk.

Anzahl Stück	1+	4+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,5900	1,1564	0,9465	0,8649	0,8370

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7113ADN-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SO8

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8370

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Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8370

Widerstand im offenen Kanal:	186mOhm
Max. Drainstrom:	10,8A
Maximaler Leistungsverlust:	27,8W
Gehäuse:	PPAK-SO8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD