SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7113adn
Gehäuse: PPAK-SO8
Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 186mOhm |
Max. Drainstrom: | 10,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 27,8W |
Gehäuse: | PPAK-SO8 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI7113ADN-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: PPAK-SO8
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 4+ | 20+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,5778 | 1,1475 | 0,9393 | 0,8583 | 0,8305 |
Widerstand im offenen Kanal: | 186mOhm |
Max. Drainstrom: | 10,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 27,8W |
Gehäuse: | PPAK-SO8 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole