SI7139DP smd Vishay

Symbol Micros: TSI7139dp

Gehäuse: SO-8

P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9mOhm; 40A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI7139DP-GE3; SI7139DP-T1-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	SO-8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7139DP T1-GE3 RoHS Gehäuse: SO-8

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,7001	1,3573	1,1614	1,0425	1,0005

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7139DP-T1-GE3 Gehäuse: SO-8

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0005

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7139DP-T1-GE3 Gehäuse: SO-8

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0005

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7139DP-T1-GE3 Gehäuse: SO-8

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0005

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	SO-8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD