SI7461DP-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSI7461dp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SO8
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Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO SI7461DP SI7461DP-T1-E3 SI7461DP-GE3

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 8,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,9W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7461DP-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SO8  
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10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7976 1,4274 1,2770 1,2192 1,1984
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 8,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,9W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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