SI7469DP-T1-E3 VISHAY

Name: TSI7469dp TSI7469dp
Brand: -
SKU: TSI7469dp
Price: 0.9661 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI7469dp

Gehäuse: PPAK-SO8

P-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 29mOhm; 10,2A; 5,2 W; -55 °C ~ 150 °C; SI7469DP-T1-GE3

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	29mOhm
Max. Drainstrom:	10,2A
Maximaler Leistungsverlust:	5,2W
Gehäuse:	PPAK-SO8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7469DP-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SO8

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0507

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7469DP-T1-E3 Gehäuse: PPAK-SO8

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0507

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: SI7469DP-T1-E3 Gehäuse: PPAK-SO8

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9661

Widerstand im offenen Kanal:	29mOhm
Max. Drainstrom:	10,2A
Maximaler Leistungsverlust:	5,2W
Gehäuse:	PPAK-SO8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD