SI7617DN-T1-GE3 Vishay

Symbol Micros: TSI7617dn

Gehäuse: PPAK1212

Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 22,2mOhm; 35A; 52W; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	22,2mOhm
Max. Drainstrom:	35A
Maximaler Leistungsverlust:	52W
Gehäuse:	PPAK1212
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7617DN-T1-GE3 Gehäuse: PPAK1212

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3454

Widerstand im offenen Kanal:	22,2mOhm
Max. Drainstrom:	35A
Maximaler Leistungsverlust:	52W
Gehäuse:	PPAK1212
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD