SI9407BDY
Symbol Micros:
TSI9407bdy
Gehäuse: SOP08
P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
14 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8143 | 0,5113 | 0,4234 | 0,3771 | 0,3540 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8143 | 0,5113 | 0,4234 | 0,3771 | 0,3540 |
Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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