SI9407BDY

Symbol Micros: TSI9407bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
14 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8143 0,5113 0,4234 0,3771 0,3540
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8143 0,5113 0,4234 0,3771 0,3540
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD