SI9433BDY

Symbol Micros: TSI9433bdy
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Gehäuse: SOP08
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Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
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50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4020 1,0711 0,8861 0,7773 0,7380
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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