SI9433BDY

Symbol Micros: TSI9433bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
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Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4190 1,0816 0,8950 0,7849 0,7466
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD