SI9435BDY

Symbol Micros: TSI9435bdy
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Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 70mOhm; 4.1A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9435BDY-E3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9435BDY RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8253 0,5222 0,4127 0,3754 0,3590
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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