SI9926BDY

Symbol Micros: TSI9926bdy
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Gehäuse: SOP08
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Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9926BDY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
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200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7271 0,4606 0,3624 0,3296 0,3156
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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