SI9933CDY

Symbol Micros: TSI9933cdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1 W; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9933CDY-T1-GE3; SI9933CDY-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 94mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI9933CDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
1163 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5642 0,3427 0,2634 0,2378 0,2259
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Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI9933CDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
1650 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2475
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 94mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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