SI9945BDY

Symbol Micros: TSI9945bdy
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Gehäuse: SOP08
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Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI9945BDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8926 0,5608 0,4650 0,4136 0,3879
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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