SI9945BDY

Symbol Micros: TSI9945bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9945BDY-T1-GE3; SI9945BDY-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI9945BDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
11600 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3708
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9945BDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8536 0,5364 0,4454 0,3965 0,3708
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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