SIA910EDJ-T1-GE3

Symbol Micros: TSIA910edj

Gehäuse: SC70-6

2xN-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 42mOhm; 4,5A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	42mOhm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	7,8W
Gehäuse:	SC70-6
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIA910EDJ-T1-GE3 Gehäuse: SC70-6

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2047

Widerstand im offenen Kanal:	42mOhm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	7,8W
Gehäuse:	SC70-6
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD