SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSIRA28bdp
Gehäuse: PPAK-SO8
MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Max. Drainstrom: | 38A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 17W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Max. Drainstrom: | 38A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 17W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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