SIRA99DP

Symbol Micros: TSIRA99dp
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P-Channel-MOSFET-Transistor; PPAK; 30V; 16V; 47,9A/195A; 1,7 mOhm; 6,35 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SIRA99DP-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,7mOhm
Max. Drainstrom: 47,9A
Maximaler Leistungsverlust: 6,35W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIRA99DP-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SO8  
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3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2328
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,7mOhm
Max. Drainstrom: 47,9A
Maximaler Leistungsverlust: 6,35W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 20V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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