SKG85G06A SHIKUES
Symbol Micros:
TSKG85G06a
Gehäuse: PDFN08(6x5)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,5 mOhm; 130A; 105 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 130A |
Maximaler Leistungsverlust: | 105W |
Gehäuse: | PDFN08(5x5) |
Hersteller: | SHIKUES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 130A |
Maximaler Leistungsverlust: | 105W |
Gehäuse: | PDFN08(5x5) |
Hersteller: | SHIKUES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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