SKG85G06A SHIKUES

Symbol Micros: TSKG85G06a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDFN08(6x5)
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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 105W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 105W
Gehäuse: PDFN08(5x5)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SKG85G06A RoHS Gehäuse: PDFN08(6x5) Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0163 0,7441 0,5985 0,5117 0,4835
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 105W
Gehäuse: PDFN08(5x5)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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