SKM100GB12T4

Symbol Micros: TSKM100gb12t4

Gehäuse: Rys.SKM100

Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 7-Pin Case GB

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Parameter

Gate-Ladung:	565nC
Max. Kollektor-Strom:	100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	300A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	Rys.SKM100
Hersteller:	SEMIKRON
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V

Gate-Ladung:	565nC
Max. Kollektor-Strom:	100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	300A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	Rys.SKM100
Hersteller:	SEMIKRON
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Transistor-Typ:	IGBT