SKQ50N03BD SHIKUES
Symbol Micros:
TSKQ50N03bd
Gehäuse: DFN08(3.3x3.3)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
Max. Drainstrom: | 50A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | DFN08(3.3x3.3) |
Hersteller: | SHIKUES |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
Max. Drainstrom: | 50A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | DFN08(3.3x3.3) |
Hersteller: | SHIKUES |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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