SKQ50N03BD SHIKUES

Symbol Micros: TSKQ50N03bd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN08(3.3x3.3)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: DFN08(3.3x3.3)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SKQ50N03BD RoHS Gehäuse: DFN08(3.3x3.3) Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3124 0,1987 0,1393 0,1210 0,1132
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: DFN08(3.3x3.3)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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