SKQ50N03BD SHIKUES

Symbol Micros: TSKQ50N03bd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN08(3.3x3.3)
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Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: DFN08(3.3x3.3)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SKQ50N03BD RoHS Gehäuse: DFN08(3.3x3.3) Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3239 0,2115 0,1514 0,1324 0,1242
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: DFN08(3.3x3.3)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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