SL25T120FL SLKOR

Symbol Micros: TSL25t120fl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 60A; 350W; 4,5V~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 350W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: SLKOR
Hersteller: SLKOR Hersteller-Teilenummer: SL25T120FL RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,4193 1,9210 1,7034 1,6285 1,6121
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 350W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: SLKOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT