SL50T120FZ SLKOR

Symbol Micros: TSL50t120fz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO264
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 311nC
Maximale Verlustleistung: 535W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO264
Hersteller: SLKOR
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 311nC
Maximale Verlustleistung: 535W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO264
Hersteller: SLKOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT