TSM2301CX JGSEMI

Symbol Micros: TTSM2301cx JGS

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 120 mOhm; 3,6A; 1,56 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: TSM2301CX RFG;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,56W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: TSM2301CX RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

2180 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1387	0,0635	0,0346	0,0259	0,0231

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,56W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 125°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2802	0,1490	0,1154	0,1065	0,1020