TSM2301CX JGSEMI

Symbol Micros: TTSM2301cx JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 3,6A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: TSM2301CX RFG;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 3,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: TSM2301CX RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1388 0,0636 0,0346 0,0259 0,0231
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 3,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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