SMBTA14E6327 Infineon

Symbol Micros: TSMBTA14
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 30V 300mA 330mW 125MHz NPN 30V 300mA 330mW 125MHz
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 125MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SMBTA14E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1860 0,0883 0,0496 0,0378 0,0338
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 125MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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