SMBTA56E6327 Infineon

Symbol Micros: TSMBTA56
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 80V 0.5A 330mW 100MHz PNP 80V 0.5A 330mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SMBTA56E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2390 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1193 0,0548 0,0298 0,0223 0,0199
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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