SPA11N80C3

Symbol Micros: TSPA11n80c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,05Ohm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA11N80C3XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,3414 3,6755 3,2736 3,0142 2,9138
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,05Ohm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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