SPA11N80C3
Symbol Micros:
TSPA11n80c3
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,05 Ohm; 11A; 34W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPA11N80C3XKSA1; SPA11N80C3XKSA2;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
Max. Drainstrom: | 11A |
Maximaler Leistungsverlust: | 34W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPA11N80C3XKSA1 RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 4,3818 | 3,7096 | 3,3040 | 3,0422 | 2,9408 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPA11N80C3XKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
3450 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,9408 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPA11N80C3XKSA2
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
492 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,9408 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPA11N80C3XKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
482 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,9408 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
Max. Drainstrom: | 11A |
Maximaler Leistungsverlust: | 34W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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