SPB17N80C3
Symbol Micros:
TSPB17n80c3
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 670mOhm |
Max. Drainstrom: | 17A |
Maximaler Leistungsverlust: | 227W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 670mOhm |
Max. Drainstrom: | 17A |
Maximaler Leistungsverlust: | 227W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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