SPB17N80C3

Name: TSPB17n80c3 TSPB17n80c3
Brand: Infineon
SKU: TSPB17n80c3
Price: 2.4713 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSPB17n80c3

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 670 mOhm; 17A; 227W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPB17N80C3ATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	670mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	227W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPB17N80C3 RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

15 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	3,2126	2,7627	2,5855	2,4922	2,4713

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPB17N80C3ATMA1 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

70000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,4713

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPB17N80C3ATMA1 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,4713

Widerstand im offenen Kanal:	670mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	227W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD