SPD02N80C3

Symbol Micros: TSPD02n80c3

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 6,5 Ohm; 2A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPD02N80C3ATMA1; SPD02N80C3BTMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,5Ohm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	6,5Ohm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD