SPD06N80C3

Symbol Micros: TSPD06n80c3
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD06N80C3ATMA1 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,7895 3,1903 2,8294 2,6512 2,5425
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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