SPD09P06PL G
Symbol Micros:
TSPD09p06pl
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 400 mOhm; 9,7A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD09P06PLGBTMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
Max. Drainstrom: | 9,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPD09P06PLGBTMA1 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9858 | 0,7240 | 0,5801 | 0,4976 | 0,4693 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPD09P06PLGBTMA1 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9858 | 0,7240 | 0,5801 | 0,4976 | 0,4693 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPD09P06PLGBTMA1
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4693 |
Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
Max. Drainstrom: | 9,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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