SPD09P06PL G

Name: TSPD09p06pl TSPD09p06pl
Brand: Infineon
SKU: TSPD09p06pl
Price: 0.4666 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSPD09p06pl

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 400 mOhm; 9,7A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD09P06PLGBTMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) Datenblatt

Auf Lager:

12 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9802	0,7199	0,5768	0,4948	0,4666

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9802	0,7199	0,5768	0,4948	0,4666

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD