SPD15P10PL G

Name: TSPD15p10pl TSPD15p10pl
Brand: Infineon
SKU: TSPD15p10pl
Price: 1.0904 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSPD15p10pl

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 15A; 128 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD15P10PLGBTMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	128W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD15P10PLGBTMA1 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,8548	1,3741	1,2029	1,1162	1,0904

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD15P10PLGBTMA1 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0904

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD15P10PLGBTMA1 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0904

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	128W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD