SPD15P10PL G

Symbol Micros: TSPD15p10pl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 15A; 128W; -55°C ~ 175°C; SPD15P10PLGBTMA1

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 128W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD15P10PLGBTMA1 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8483 1,3693 1,1987 1,1122 1,0865
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 128W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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