SPD30P06P G

Symbol Micros: TSPD30p06p

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD30P06PGBTMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD30P06PGBTMA1 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,3061	0,9966	0,8254	0,7222	0,6871

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD