SPD30P06P G

Symbol Micros: TSPD30p06p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD30P06PGBTMA1 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3015 0,9931 0,8225 0,7197 0,6846
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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