SPD50P03L G

Symbol Micros: TSPD50p03l
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12,5 mOhm; 50A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD50P03LGBTMA1;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD50P03LGBTMA1 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
9 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 9+ 27+ 81+
Nettopreis (EUR) 1,9078 1,5093 1,2961 1,1836 1,1226
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Standard-Verpackung:
9
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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