SPD50P03L G

Symbol Micros: TSPD50p03l
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; SPD50P03LGBTMA1

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD50P03LGBTMA1 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
9 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 9+ 27+ 81+
Nettopreis (EUR) 1,9020 1,5048 1,2921 1,1800 1,1192
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Standard-Verpackung:
9
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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