SPP04N80C3
Symbol Micros:
TSPP04n80c3
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP04N80C3XKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPP04N80C3XKSA1 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3319 | 1,0177 | 0,8418 | 0,7386 | 0,7011 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPP04N80C3XKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2993 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7011 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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