SPP06N80C3

Name: TSPP06N80C3 TSPP06N80C3
Brand: Infineon
SKU: TSPP06N80C3
Price: 1.6905 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSPP06N80C3

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 2,1 Ohm; 6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP06N80C3XKSA1;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,1Ohm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP06N80C3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

35 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5086	1,2036	1,0300	0,9244	0,8869

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP06N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

87303 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8869

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP06N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

198 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,6905

Widerstand im offenen Kanal:	2,1Ohm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT