SPP06N80C3

Symbol Micros: TSPP06N80C3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP06N80C3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5024 1,1987 1,0258 0,9206 0,8832
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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