SPP08N80C3

Symbol Micros: TSPP08N80C3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
CoolMOS 8A 800V 104W 0.65Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP08N80C3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
48 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,1754 1,7805 1,5538 1,4113 1,3599
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT