SPP18P06P

Symbol Micros: TSPP18p06p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 18,7A
Maximaler Leistungsverlust: 81,1W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP18P06PHXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9276 0,6800 0,5468 0,4673 0,4416
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 18,7A
Maximaler Leistungsverlust: 81,1W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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