SPP20N60C3
Symbol Micros:
TSPP20n60c3
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 430 mOhm; 20,7A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP20N60C3XKSA1; SPP20N60C3HKSA1; SPP20N60C3/SN;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 430mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 208W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPP20N60C3 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,7171 | 2,2378 | 1,9922 | 1,9618 | 1,9408 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPP20N60C3XKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
932 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9408 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPP20N60C3XKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
295550 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9408 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 430mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 208W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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