SPP20N60S5

Symbol Micros: TSPP20n60s5

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 430 mOhm; 20A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP20N60S5HKSA1; SPP20N60S5XKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	430mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	208W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP20N60S5XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

39 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	100+
Nettopreis (EUR)	7,4122	6,2913	5,6043	5,1494	5,0415

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP20N60S5XKSA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

335 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	5,0415

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP20N60S5XKSA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

4350 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	5,0415

Widerstand im offenen Kanal:	430mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	208W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT