SPP20N60S5
Symbol Micros:
TSPP20n60s5
Gehäuse: TO220
CoolMOS 20A 600V 208W 0.19Ω Qg=103nC
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 430mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 208W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 430mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 208W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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