SPP20N65C3XKSA1

Symbol Micros: TSPP20n65c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 430mOhm
Max. Drainstrom: 20,7A
Maximaler Leistungsverlust: 208W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP20N65C3XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,9092 3,3086 2,9488 2,7151 2,6240
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 430mOhm
Max. Drainstrom: 20,7A
Maximaler Leistungsverlust: 208W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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