SQ2309ES

Symbol Micros: TSQ2309es
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 1,7A; 336 mOhm; 2W; -55°C~175°C; Äquivalent: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 336mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SQ2309ES-T1-GE3 RoHS 8P.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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Nettopreis (EUR) 0,8139 0,5123 0,4237 0,3782 0,3543
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 336mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD