SQ2319ADS-T1
Symbol Micros:
TSQ2319ads
Gehäuse: SC-59
MOSFET-Transistor, P-Channel, -4.6 A, 40 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V VISHAY SQ2319ADS-T1_BE3; SQ2319ADS-T1_GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 68mOhm |
| Max. Drainstrom: | -4,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SC-59 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | -40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 68mOhm |
| Max. Drainstrom: | -4,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SC-59 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | -40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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