SQ2389ES-T1_GE3
Symbol Micros:
TSQ2389es
Gehäuse: SOT23-3
MOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 188mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 188mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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