SQJ211ELP

Symbol Micros: TSQJ211ELP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 30mOhm; 33,6A; 68W; -55°C~175°C; Äquivalent: SQJ211ELP-T1_GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 33,6A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJ211ELP-T1_GE3 Gehäuse:    
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5746
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 33,6A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole