SS8050

Symbol Micros: TSS8050

Gehäuse: TO92

Transistor GP BJT NPN 25V 1.5A -60~150C Transistor GP BJT NPN 25V 1.5A -60~150C

Parameter

Verlustleistung:	1W
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	160
Gehäuse:	TO92
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: SS8050 RoHS Gehäuse: TO92bul

Auf Lager:

900 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,1530	0,0717	0,0395	0,0315	0,0278

Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: SS8050 RoHS Gehäuse: TO92bul

Auf Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	50+	200+	800+
Nettopreis (EUR)	0,1530	0,0715	0,0486	0,0334	0,0278

Verlustleistung:	1W
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	160
Gehäuse:	TO92
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1247	0,0474	0,0266	0,0219	0,0208