SS8050 SOT23-3 BORN

Symbol Micros: TSS8050 BORN
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 1.5A 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS NPN 1.5A 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: BORN
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: BORN Hersteller-Teilenummer: SS8050 RoHS Y1. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1355 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 1500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1077 0,0423 0,0223 0,0174 0,0166
Standard-Verpackung:
1500
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: BORN
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN