SS8550

Symbol Micros: TSS8550 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; Bipolar; 350mW; -25V; 1500mA; 120MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; Bipolar; 350mW; -25V; 1500mA; 120MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 120MHz
Hersteller: HOTTECH
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: -25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: POWERSILION Hersteller-Teilenummer: SS8550 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1152 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0744 0,0287 0,0140 0,0111 0,0106
Standard-Verpackung:
1152
Hersteller: FUXINSEMI Hersteller-Teilenummer: SS8550 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
901 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0744 0,0287 0,0140 0,0111 0,0106
Standard-Verpackung:
901
Hersteller: FUXINSEMI Hersteller-Teilenummer: SS8550 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
599 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0744 0,0287 0,0140 0,0111 0,0106
Standard-Verpackung:
599
Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: SS8550 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0744 0,0287 0,0140 0,0111 0,0106
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 120MHz
Hersteller: HOTTECH
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: -25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP