SS8550
Symbol Micros:
TSS8550 c
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; Bipolar; 350mW; -25V; 1500mA; 120MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; Bipolar; 350mW; -25V; 1500mA; 120MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: | 350mW |
Grenzfrequenz: | 120MHz |
Hersteller: | HOTTECH |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,5A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | -25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: POWERSILION
Hersteller-Teilenummer: SS8550 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1152 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0744 | 0,0287 | 0,0140 | 0,0111 | 0,0106 |
Hersteller: FUXINSEMI
Hersteller-Teilenummer: SS8550 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
901 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0744 | 0,0287 | 0,0140 | 0,0111 | 0,0106 |
Verlustleistung: | 350mW |
Grenzfrequenz: | 120MHz |
Hersteller: | HOTTECH |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,5A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | -25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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