SSM3J334R TOSHIBA

Symbol Micros: TSSM3j334r
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 71mOhm; 4A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SSM3J334R,LF(T;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 71mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23F
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM3J334R,LF(T Gehäuse: SOT23F  
Externes Lager:
102000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0623
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 71mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23F
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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